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一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置及掺碳方法

基本信息

申请号 CN202110330282.1 申请日 -
公开（公告）号 CN113136616A 公开（公告）日 2021-07-20
申请公布号 CN113136616A 申请公布日 2021-07-20
分类号 C30B11/06;C30B29/42;C23C16/26 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 雷仁贵;于会永;冯佳峰;袁韶阳;赵中阳;张军军;赵春锋 申请（专利权）人 大庆溢泰半导体材料有限公司
代理机构 黑龙江省百盾知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 孙淑荣
地址 163000 黑龙江省大庆市高新区新泰路3号
法律状态 -

摘要

摘要 一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置及掺碳方法，涉及半导体材料技术领域，包括石英管和PBN坩埚组，PBN坩埚组装于石英管内，石英管的两端安装有密封卡头，石英管的两端分别设置有管路，分别称为充气管路和排气管路，充气管路上设置有通断阀门三，充气管路上游为两个并联的支气管路，分别称为充氧管路和充碳管路，充氧管路连接有氧气源，充碳管路连接有碳气源，并且均通过阀门控制氧气源或碳气源的通断；排气管路的下游为两个并联的支气管路，分别称为放气管路和抽真空管路，放气管路上设置有阀门，抽真空管路上连接有抽真空装置。本申请可分别实施充氧烘烤工艺和C沉积工艺，两个工艺在同一设备上依次进行，简化了设备，节省了热能损耗。