一种半导体化合物材料的单晶生长工艺设备
基本信息
| 申请号 | CN202110213776.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113026089A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113026089A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | C30B11/00;C30B29/42 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 雷仁贵;于会永;冯佳峰;袁韶阳;赵中阳;张军军;赵春峰 | 申请（专利权）人 | 大庆溢泰半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 黑龙江省百盾知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 孙淑荣 |
| 地址 | 163000 黑龙江省大庆市高新区火炬新街44号（园区）新兴产业孵化器3#301 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体化合物材料的单晶生长工艺设备，涉及单晶生长设备领域，包括炉体、石英管，石英管、坩埚，炉体与石英管之间固定设置有单段式加热器，所述的单段式加热器外侧固定安装有温梯筒，所述的温梯筒带有环形的过液腔，过液腔底部螺纹连接有封堵环，封堵环内圈、外圈分别与温梯筒螺纹连接，封堵环沿周向均匀加工有进液孔，进液孔内插装有进液管，进液管与封堵环固定连接，进液管下方设置有储液箱，过液腔上端设置有出液口。本发明由于温梯范围可变化，所以在加热器长度不变的情况下，可提供不同范围的梯度场，从而适用于不同物质单晶生长；且温梯的连续性良好。 |
