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一种半导体材料的单晶生长装置

基本信息

申请号 CN202120255112.7 申请日 -
公开（公告）号 CN214244664U 公开（公告）日 2021-09-21
申请公布号 CN214244664U 申请公布日 2021-09-21
分类号 C30B11/00（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 雷仁贵;于会永;冯佳峰;袁韶阳;赵中阳;张军军;赵春峰 申请（专利权）人 大庆溢泰半导体材料有限公司
代理机构 黑龙江省百盾知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 孙淑荣
地址 163000黑龙江省大庆市高新区新泰路3号
法律状态 -

摘要

摘要 一种半导体材料的单晶生长装置，涉及半导体材料技术领域，包括加热炉、封料石英管、装料坩埚和支撑装置，所述的装料坩埚为透明的石英坩埚，所述的封料石英管外侧设置有隔热环，所述的隔热环上端面为外高内低的锥面，所述的锥面上放置有反光镜A；所述的加热炉包括加热筒和保温筒，加热筒与保温筒之间留有间隙，所述的加热筒的上下两端设置有封盖，其中上端的封盖由透明耐高温材料制成，从而反光镜A的反射光线能够通过上端的封盖折射出去。本发明利用光的反射原理解决了现有的温度梯度凝固法无法观察固液面的问题，了解固液面位置有利于缓慢降温与精密移动晶体生长。