高温氧化物晶体的生长炉
基本信息
| 申请号 | CN99252128.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN2400459Y | 公开（公告）日 | 2000-10-11 |
| 申请公布号 | CN2400459Y | 申请公布日 | 2000-10-11 |
| 分类号 | C30B15/14 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 徐军;陈杏达;陈伟;钟鹤裕 | 申请（专利权）人 | 上海中科嘉浦光电子材料有限公司 |
| 代理机构 | 上海华东专利事务所 | 代理人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种高温氧化物晶体的生长炉,主要适用提拉法生长像钒酸钇(YVO4)和掺钕钒酸钇(Nd:YVO4)的高温氧化物晶体。它包括置于炉罩中心位置上盛放熔体的熔体坩埚,由熔体坩埚至炉罩之间,依次有间隙层,呈坩埚或圆筒状的载热体,隔热层和感应加热线圈。感应加热线圈,通过隔热层,感应载热体,载热体将热量辐射给熔体坩埚,使熔体坩埚内的熔体温度缓慢而均匀地升高,形成热场温度梯度小,从而生长出大尺寸优质的晶体。 |
