自调制激光晶体Cr4+,Yb3+:Y3Al5O12
基本信息
| 申请号 | CN97106292.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1191904A | 公开（公告）日 | 1998-09-02 |
| 申请公布号 | CN1191904A | 申请公布日 | 1998-09-02 |
| 分类号 | C30B29/28 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 徐军;邓佩珍;周国清 | 申请（专利权）人 | 上海中科嘉浦光电子材料有限公司 |
| 代理机构 | 上海华东专利事务所 | 代理人 | 李兰英 |
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明的自调制激光晶体Cr4+,Yb3+:Y3Al5O12是以Y3Al5O12(YAG)作为基质,同时含有Cr4+和Yb3+两种离子和补偿离子Ca2+或Mg2+。因为在基质YAG中,掺杂Yb3+离子的浓度可以高达1～25mol%,则相应的Cr4+离子的调制范围也宽,利用Cr4+离子的可饱和吸收特性,对Yb3+的1.030mm激光实现自调Q。很适宜做为InGaAs半导体或Ti:Al2O3钛宝石激光泵浦的激光器,可不外加调制元件,实现自调Q。做成的激光器可以小型化、集成化和实用化。 |
