生长高温氧化物晶体的装置
基本信息
| 申请号 | CN99124262.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1084398C | 公开（公告）日 | 2002-05-08 |
| 申请公布号 | CN1084398C | 申请公布日 | 2002-05-08 |
| 分类号 | C30B15/00;C30B15/14;C30B29/30 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 徐军;陈杏达;陈伟;钟鹤裕 | 申请（专利权）人 | 上海中科嘉浦光电子材料有限公司 |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 李兰英 |
| 地址 | 201800上海市嘉定区叶城路1411号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种生长高温氧化物晶体的装置，主要适用提拉法生长像钒酸钇(YVO4)和掺钕钒酸钇(Nd：YVO4)的高温氧化物晶体。它包括置于炉罩中心位置上盛放熔体的熔体坩埚，由熔体坩埚至炉罩之间，依次有间隙层，呈坩埚或圆筒状的载热体，隔热层和感应加热线圈。感应加热线圈，通过隔热层，感应载热体，载热体将热量辐射给熔体坩埚，使熔体坩埚内的熔体温度缓慢而均匀地升高，形成热场温度梯度小，从而生长出大尺寸优质的晶体。$#! |
