一种碳碳化硅陶瓷靶坯的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110454130.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113135756A | 公开（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申请公布号 | CN113135756A | 申请公布日 | 2021-07-20 |
| 分类号 | C04B35/528;C04B35/565;C04B35/622;C04B35/645;B28B3/02 | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 姚力军;王巨宝;王学泽;杨慧珍 | 申请（专利权）人 | 上海戎创铠迅特种材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京远智汇知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王岩 |
| 地址 | 201401 上海市奉贤区肖塘路255弄10号1层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种碳碳化硅陶瓷靶坯的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：将碳‑碳化硅复合粉装模进行冷压，之后依次进行热压烧结和降温，得到所述碳碳化硅陶瓷靶坯；所述碳‑碳化硅复合粉中颗粒的球形度为0.8‑1，粒度为120‑180μm；所述热压烧结包括依次进行的第一保温、第二保温和保温保压。通过对制备过程中原料球形度及配比的控制，并采用预先冷压的方式实现了高性能的靶坯的制备，制备得到的靶坯和背板焊接时可以实现良好的浸润，进而保证靶材和背板可以实现良好的焊接，焊接结合率高达99％及以上，致密度可达99％以上，成材率也可达98％以上。 |
