硅片背面减薄镀膜工艺
基本信息
| 申请号 | CN202111245894.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113964022A | 公开（公告）日 | 2022-01-21 |
| 申请公布号 | CN113964022A | 申请公布日 | 2022-01-21 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王刚;叶炜昊 | 申请（专利权）人 | 浙江美迪凯光学半导体有限公司 |
| 代理机构 | 杭州华知专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 张德宝 |
| 地址 | 314400浙江省嘉兴市海宁市长安镇（高新区）新潮路15号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种硅片背面减薄镀膜工艺，其包括贴膜、减薄、超声波清洗、撕膜、绑定、镀膜。该硅片背面减薄镀膜工艺去除酸洗步骤，将酸洗改换成纯水超声波清洗，去除了酸洗后废液会对环境的污染，同时节约成本；镀膜前将硅片与相配的绑定基板后镀膜，消除减少酸洗步骤后增加的破片率，提升完成加工产品的合格率。 |
