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一种具有倒装芯片结构的紫外AlInGaN发光二极管

基本信息

申请号 CN202023173727.X 申请日 -
公开（公告）号 CN213988913U 公开（公告）日 2021-08-17
申请公布号 CN213988913U 申请公布日 2021-08-17
分类号 H01L33/06（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 不公告发明人 申请（专利权）人 至芯半导体（杭州）有限公司
代理机构 北京华创智道知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 彭随丽
地址 310000浙江省杭州市萧山区河庄街道江东七路599号智造谷
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种具有倒装芯片结构的紫外AlInGaN发光二极管。随着AlInGaN发光二极管Al组分的提高，波长也会逐渐降低，同时TE模出光占主导的出光方式转变成TM模出光占主导，为了提高TM模的出光效率，本实用新型在N型电极区和边缘电极区，设置钝化层，在钝化层区域形成倒梯形结构的反射金属区，倒梯形结构区域设置有对紫外光有强反射效率的金属，量子阱中产生的TM光能够经过强反射金属层反射出来，极大地提升了TM模出光效率，从而提高了整个紫外AlInGaN发光二极管的发光强度。