一种AlInGaN半导体发光器件
基本信息
| 申请号 | CN202110707146.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113257965A | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN113257965A | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | H01L33/04（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄小辉 | 申请（专利权）人 | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 代理机构 | 北京高沃律师事务所 | 代理人 | 王爱涛 |
| 地址 | 310000浙江省杭州市钱塘新区河庄街道东围路599号博潮城4幢一层和二层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种AlInGaN半导体发光器件。该AlInGaN半导体发光器件包括：衬底、半导体缓冲层、第一N型半导体层、第二N型半导体层、多量子阱层、P型空穴输送层、P型电子阻挡层、P型半导体传输层和P型半导体接触层。本发明提供的AlInGaN半导体发光器件通过将P型空穴输送层设置为单层AlInGaN材料层或AlInGaN/AlInGaN超晶格结构层，能够提高量子阱附近空穴的产生率，源源不断地向量子阱中提供大量的空穴，以提高AlInGaN量子阱中电子空穴复合效率，提升AlInGaN发光二极管的性能。 |
