一种AlInGaN紫外发光器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110877905.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113328016A | 公开（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申请公布号 | CN113328016A | 申请公布日 | 2021-08-31 |
| 分类号 | H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄小辉 | 申请（专利权）人 | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 代理机构 | 北京高沃律师事务所 | 代理人 | 杜阳阳 |
| 地址 | 310000浙江省杭州市钱塘新区河庄街道东围路599号博潮城4幢一层和二层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及了一种AlInGaN紫外发光器件及其制备方法，紫外发光器件的缓冲层设置为非掺杂AlInGaN半导体层组，其结构包括：至少两个非掺杂AlInGaN半导体层，每两个相邻的非掺杂AlInGaN半导体层之间设置有非掺杂AlInGaN半导体翘曲调节层，非掺杂AlInGaN半导体翘曲调节层的晶格常数大于非掺杂AlInGaN半导体层。本发明通过在非掺杂AlInGaN半导体层或N型掺杂AlInGaN半导体层中设置AlInGaN半导体翘曲调节层，降低器件加工过程中的翘曲度，提高了紫外发光器件的发光效率。 |
