一种AlN薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110781721.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113235047A | 公开（公告）日 | 2021-08-10 |
| 申请公布号 | CN113235047A | 申请公布日 | 2021-08-10 |
| 分类号 | C23C14/06（2006.01）I;C23C14/58（2006.01）I;C23C16/02（2006.01）I;C23C16/30（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 代理机构 | 北京华创智道知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 彭随丽 |
| 地址 | 310000浙江省杭州市萧山区河庄街道江东七路599号智造谷 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种AlN薄膜的制备方法，涉及半导体技术领域，包括：（1）采用物理气相沉积法于衬底表面沉积第一AlN层；（2）在1500~1800℃、流动氮气气氛下，对第一AlN层进行高温退火处理；（3）在700~1000℃、恒定氮气气氛下，对（2）中的第一AlN层进行退火处理；（4）将退火后的第一AlN层移至金属有机物化学气相沉积设备中，在1100~1300℃条件下，同时通入氢气和氨气，去除退火后的第一AlN层表面的杂质原子；（5）在1300~1400℃，30~100mbar条件下，生长第二AlN层。本发明采用多次退火技术，同时配合后续外延生长，不仅使所得的AlN外延薄膜的位错密度得到有效降低，而且改善了AlN薄膜的应力状态，解决了AlN薄膜外延过程中的开裂行为，最终获得表面平整、位错密度低、无裂纹的高质量AlN薄膜。 |
