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一种AlN薄膜及其制备方法和应用

基本信息

申请号	CN202110999812.1	申请日	-
公开（公告）号	CN113445004A	公开（公告）日	2021-09-28
申请公布号	CN113445004A	申请公布日	2021-09-28
分类号	C23C14/04（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C30B23/04（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	不公告发明人	申请（专利权）人	至芯半导体（杭州）有限公司
代理机构	北京高沃律师事务所	代理人	申素霞
地址	310000浙江省杭州市钱塘新区河庄街道东围路599号博潮城4幢一层和二层
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种AlN薄膜及其制备方法和应用，属于半导体薄膜材料技术领域。本发明在衬底上形成掩膜后刻蚀，在衬底表面形成规则排列的凹坑；然后在凹坑中溅射沉积AlN，并通过退火的方式，在衬底表面得到了规则排列、应力小且致密的AlN籽晶。由于AlN籽晶只在凹坑中而衬底表面其他位置没有，在后续外延生长过程中，AlN籽晶为同质外延，而衬底上为异质外延，可以改善衬底和AlN层的晶格失配和热失配，又能降低位错密度，提高晶体质量。同时，由于同质和异质生长速率的差异，使后续生长的AlN层趋向于二维生长，得到表面光滑的AlN层。溅射AlN层经过退火处理后，会和衬底凹坑的最下层形成空隙层，提高深紫外LED的出光效率。