一种基于纳米图形衬底的AlInGaN紫外发光二极管
基本信息
| 申请号 | CN202023173718.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214043695U | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN214043695U | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01L33/06（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/24（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 代理机构 | 北京华创智道知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 彭随丽 |
| 地址 | 310000浙江省杭州市萧山区河庄街道江东七路599号智造谷 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种基于纳米图形衬底的AlInGaN紫外发光二极管。包括蓝宝石纳米图形衬底，衬底边缘有刻蚀圈，衬底上有一层缓冲薄层，在缓冲薄层和纳米图形衬底之间形成空洞。依次生长的N型AlInGaN接触层，AlInGaN量子阱,AlInGaN电子阻挡层，P型AlInGaN接触层。AlN薄膜和纳米图形衬底之间形成生长的纳孔洞空洞，会形成很好的紫外光反射粗糙面，形成高效紫外出光。所述发光二极管能够有效降低AlN薄膜的位错密度，提高AlN薄膜的生长质量，提升AlInGaN紫外发光二极管的内量子效率。同时，粗糙的纳米级孔洞区能够有效提升紫外光的出光效率。 |
