一种改善硅片酸腐蚀平坦度的方法
基本信息
| 申请号 | CN202111387781.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114093760A | 公开（公告）日 | 2022-02-25 |
| 申请公布号 | CN114093760A | 申请公布日 | 2022-02-25 |
| 分类号 | H01L21/306（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 卞梁;潘连胜;杨昱 | 申请（专利权）人 | 锦州神工半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京易捷胜知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 薛晓萌;齐云 |
| 地址 | 121000辽宁省锦州市太和区中信路46号甲 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种改善硅片酸腐蚀平坦度的方法，其包括：S1、将硅片放入盛槽的滚筒中，盛槽内装有腐蚀液。按质量分数计，腐蚀液中含5‑6％的氢氟酸、50‑55％的硝酸、8‑10％的醋酸、两性离子型表面活性剂0.3％‑1.5％。腐蚀过程中，滚筒浸没在腐蚀液中且能够在盛槽内转动；硅片以站立式放置在滚筒内，利用滚筒的转动使硅片在腐蚀液中转动；滚筒同时还周期性地上下往复移动，使硅片相对盛槽内的腐蚀液进行向上的抛动动作，使硅片的边缘周期性的暴露在腐蚀液外；S2、使用QDR法对硅片清洗；S3、使用超纯水溢流冲洗硅片；S4、使用甩干方法对硅片表面脱水、干燥。本发明通过改进腐蚀液的组成并结合特定的清洗动作，改善腐蚀后硅片表面的平坦度，克服塌边情况。 |
