一种硅片表面清洗方法及清洗液
基本信息
| 申请号 | CN202111389708.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114101193A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114101193A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | B08B3/08（2006.01）I;B08B3/10（2006.01）I;B08B3/12（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I | 分类 | 清洁; |
| 发明人 | 卞梁;潘连胜;秦朗 | 申请（专利权）人 | 锦州神工半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京易捷胜知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 薛晓萌;齐云 |
| 地址 | 121000辽宁省锦州市太和区中信路46号甲 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种硅片表面清洗方法，包括步骤：S1、将硅片放入盛装有一号清洗液的一次清洗槽内，一号清洗液通过带有滤芯的管泵组件在一号清洗槽内外循环，硅片在一号清洗液内摆动；加热并兆声进行清洗；一号清洗液由氨水、双氧水、有机膦酸、超纯水按体积比8‑12:8‑12:0.8‑1.2:80‑100组成；S2、使用超纯水溢流冲洗；S3、将硅片放入盛装有二号清洗液的二次清洗槽内，二号清洗液通过带有滤芯的管泵组件在二号清洗槽内外循环，硅片在二号清洗液内摆动；加热并兆声进行清洗；二号清洗液由氨水、双氧水、有机膦酸、超纯水按体积比8‑12:18‑22:0.8‑1.2:80‑100组成；S4、使用QDR法清洗；S5、使用超纯水溢流冲洗；S6、慢提拉法脱水烘干。本发明具有更优的清洗效果，简化传统RCA清洗的步骤。 |
