一种改善硅片表面粗糙度的抛光工艺
基本信息
| 申请号 | CN202111389663.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114055256A | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN114055256A | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | B24B1/00（2006.01）I;B24B29/02（2006.01）I;B24B57/02（2006.01）I;C09G1/04（2006.01）I | 分类 | 磨削；抛光; |
| 发明人 | 卞梁;潘连胜;何翠翠 | 申请（专利权）人 | 锦州神工半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京易捷胜知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 薛晓萌;齐云 |
| 地址 | 121000辽宁省锦州市太和区中信路46号甲 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及本发明提供一种改善硅片表面粗糙度的抛光工艺，其包括：在精抛结束后，快速使用表面处理液对硅片表面进行处理；所述表面处理液包括：1‑3体积份的两性离子表面活性剂，2‑3体积份乙二醇，0.5‑2份含有羟基的阴离子表面活性剂，100体积份的超纯水。本发明的表面处理液，用于在硅片精抛结束后，快速处理硅片，其主要从三个方面降低硅片的Haze值：（1）迅速降低精抛结束后硅片表面的温度从而缓和化学腐蚀；（2）隔离抛光液减缓并最终停止抛光液与硅片表面的化学腐蚀作用；（3）使抛光过程中产生的颗粒脱离硅片表面，从而去除表面颗粒，达到减少对硅片表面划伤。 |
