发光二极管及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201880003521.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109844968B | 公开（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申请公布号 | CN109844968B | 申请公布日 | 2021-10-19 |
| 分类号 | H01L33/00（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/36（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 林素慧;王锋;洪灵愿;许圣贤;陈思河;陈大钟;彭康伟;张家宏 | 申请（专利权）人 | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 361009福建省厦门市思明区吕岭路1721－1725号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，在一些实施例中，所述发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其上表面设有第一电极区，其包含焊盘区和扩展区；绝缘层，形成于所述第一半导体层的扩展区之上；透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上，并覆盖所述绝缘层；保护层，形成于所述透明导电层的表面上，在所述扩展区形成第一开口，露出所述扩展区的透明导电层之部分表面；第一电极，形成于所述保护层上，包括焊盘部和扩展部，所述扩展部通过所述第一开口与所述扩展区的透明导电层形成电性连接。 |
