一种半导体发光器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110299582.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113113516A | 公开（公告）日 | 2021-07-13 |
| 申请公布号 | CN113113516A | 申请公布日 | 2021-07-13 |
| 分类号 | H01L33/00（2010.01）I;H01L33/10（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 钟志白;李佳恩;张敏;卓昌正;徐宸科;康俊勇 | 申请（专利权）人 | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京汉之知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 高园园 |
| 地址 | 361009福建省厦门市思明区吕岭路1721－1725号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体发光器件及其制备方法。半导体发光器件包括：衬底，具有相对的正面和背面；堆叠外延层，包括依次形成在衬底正面上的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，半导体发光器件自堆叠外延层的一个侧面出光；形成在与半导体发光器件的出光侧相对的侧面的反射层；第一电极结构，包括位于衬底背面的第一欧姆接触层，以及位于第一欧姆接触层上且远离衬底的一侧的连接金属层；第一电极结构还延伸至堆叠外延层的侧面，连接金属层还延伸覆盖反射层。连接金属层不会影响发光器件的发光效果，同时能够及时地将外延层、抗反射层和反射层产生的热量传导出去，提高抗反射层和反射层抗光学灾变损伤的能力以及抗热翻转的能力。 |
