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一种发光二极管及其制备方法

基本信息

申请号 CN202110604191.2 申请日 -
公开（公告）号 CN113345993A 公开（公告）日 2021-09-03
申请公布号 CN113345993A 申请公布日 2021-09-03
分类号 H01L33/44（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 蔡琳榕;杨力勋 申请（专利权）人 厦门市三安光电科技有限公司
代理机构 北京汉之知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 高园园
地址 361009福建省厦门市思明区吕岭路1721－1725号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，该发光二极管依次包括：基板、第一反射层、第一绝缘层、金属阻挡层、第二反射层以及外延层，外延层中的有源层形成发光区，金属阻挡层包括第一部分及第二部分，第一部分位于形成发光二极管的外延层的发光区的下方，第二部分位于形成发光二极管的电极的电极区的下方。在基板的第一表面的投影中，金属阻挡层的第一部分的至少部分边缘线位于发光区的边缘线的内侧，金属阻挡层的第二部分的边缘线位于发光区的边缘线的外侧。本发明能够解决金属阻挡层对于光的吸收、遮挡问题，还能防止在后期形成电极时，刻蚀液超出金属阻挡层的阻挡范围向底层渗漏，有利于器件的可靠性。