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检测固态存储装置存储状态的方法

基本信息

申请号 CN201810846776.3 申请日 -
公开（公告）号 CN110739023B 公开（公告）日 2021-07-02
申请公布号 CN110739023B 申请公布日 2021-07-02
分类号 G11C29/12;G11C29/50 分类 信息存储;
发明人 彭祥恩;吴昇翰 申请（专利权）人 深圳衡宇芯片科技有限公司
代理机构 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 代理人 孙皓晨
地址 518000 广东省深圳市南山区学府路263号大新时代大厦A座1106
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种检测固态存储装置存储状态的方法。所述方法包含以下步骤：施加多个感测电压至各个记忆单元；比对各个记忆单元的临界电压与多个感测电压，并据以定义存储状态，多个存储状态依记忆单元落在强正确区、弱正确区、强错误区或弱错误区来分类；计算在每一存储状态的记忆单元数量；计算强正确区的多个记忆单元数量，占强正确区与弱正确区总和的多个记忆单元数量的强正确比例；计算强错误区的多个记忆单元数量，占强错误区与弱错误区总和的多个记忆单元数量的强错误比例；以及基于强正确比例及强错误比例，产生对数概度比。