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一种低输入电容IGBT

基本信息

申请号 CN202020457300.3 申请日 -
公开（公告）号 CN211743163U 公开（公告）日 2020-10-23
申请公布号 CN211743163U 申请公布日 2020-10-23
分类号 H01L29/06(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 朱旭强 申请（专利权）人 宜兴杰芯半导体有限公司
代理机构 北京思创大成知识产权代理有限公司 代理人 宜兴杰芯半导体有限公司
地址 214200江苏省无锡市宜兴市新街百合工业园新岳路2号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供一种低输入电容的IGBT，它包括从下至上依次布置的背面P注入区和N‑区，在N‑区的两侧具有P阱区，在前述P阱区的内部均布置有N+源区，在两P阱区和中部N‑区交界位置的上表面均布置有栅氧区，在两栅氧区的中部布置场氧区，且前述场氧区位于N‑区的上表面，两栅氧区以及部分与对应栅氧区相邻的场氧区的上表面具有多晶栅区。本实用新型的IGBT通过在元胞区保留场氧化层并去掉该氧化层上的多晶层，保留了注入增强型优点的同时，输入电容降低了35％以上，使得芯片在相对较低的饱和压降下，提高了开关速度，降低了开关损耗。