一种碳化硅粉体颗粒长大的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110584891.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113322509A | 公开（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申请公布号 | CN113322509A | 申请公布日 | 2021-08-31 |
| 分类号 | C30B9/12（2006.01）I;C30B28/04（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 樊子民;王晓刚 | 申请（专利权）人 | 西安博尔新材料有限责任公司 |
| 代理机构 | 西安创知专利事务所 | 代理人 | 马小燕 |
| 地址 | 710089陕西省西安市航空基地蓝天六路7号B09-1 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅粉体颗粒长大的方法，该方法包括：一、将可溶性无机盐加热至熔融温度搅拌，冷却后磨细过筛得到熔盐粉；二、将熔盐粉与碳化硅粉体配比并混合均匀得到混合物；三、将混合物在熔盐粉的共熔温度以上保温得到熔融物；四、将熔融物冷却至室温后研磨，经洗涤、静置和干燥，得到长大的碳化硅粉体颗粒。本发明采用可溶性无机盐为熔盐体系，与碳化硅粉体混合共熔，使得小的碳化硅颗粒优先溶解，并在大的碳化硅颗粒上沉淀而逐渐长大，同时部分杂质也会通过熔盐而除去，有利于碳化硅晶体的生长，提高了长大的碳化硅粉体颗粒的质量纯度。 |
