芯片用干膜去膜剂及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210451883.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102968002A | 公开（公告）日 | 2013-03-13 |
| 申请公布号 | CN102968002A | 申请公布日 | 2013-03-13 |
| 分类号 | G03F7/42(2006.01)I | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 廖勇勤 | 申请（专利权）人 | 大连三达维芯半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 大连非凡专利事务所 | 代理人 | 闪红霞 |
| 地址 | 116023 辽宁省大连市高新技术产业园区学子街99号318室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种芯片用干膜去膜剂，其特征在于：由吡咯烷酮、酰胺、亚砜及二氧六环或二氧五环组成，所述各组分的质量百分比如下：吡咯烷酮20~60%、酰胺10~70%、亚砜10%~50%、二氧六环或二氧五环5%~30%。不含强碱性物质，各组分相互配伍作用，既可以快速溶解剥离芯片上的干膜，又能防止金属材料、介质和衬底材料的腐蚀。 |
