首页/ TCL科技集团（天津）有限公司/ 专利详情

一种快恢复二极管FRD芯片及其生产工艺

基本信息

申请号 CN201010581246.4 申请日 -
公开（公告）号 CN102087976A 公开（公告）日 2011-06-08
申请公布号 CN102087976A 申请公布日 2011-06-08
分类号 H01L21/329(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 初亚东;刘长蔚;王军明;梁效峰;牛宝钢;薄勇;崔俊发;邵枫 申请（专利权）人 TCL科技集团（天津）有限公司
代理机构 天津中环专利商标代理有限公司 代理人 天津中环半导体股份有限公司
地址 300384 天津市南开区新技术产业园区华苑产业区海泰东路12号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种快恢复二极管（FRD）芯片及其生产工艺，采用扩散前处理、液态源两次扩散、背面减薄、氧化、铂扩散、光刻、台面腐蚀、电泳、烧结、划片等工艺步骤生产结构为P+NN+的二极管，芯片生产工艺采用携带液态磷源深结扩散的方法，提高了扩散结的平坦度，加强了击穿电压的均一性、稳定性；采用降低硼扩散源浓度、提高硼扩散源纯度的方法，提高了快恢复二极管的抗浪涌能力；采用电泳的玻璃钝化工艺，提高了双向稳压二极管的耐压稳定性，可靠性；减小了反向恢复时间，提高了开关速度，减小了压降，降低了功耗，提高了耐压的稳定性，增加了二极管的可靠性。