栅极电介质层制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110438906.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113299548A | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN113299548A | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01L21/28（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 姜兰 | 申请（专利权）人 | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭立 |
| 地址 | 201315上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种栅极电介质层制备方法，包括：S1，提供一硅衬底，在硅衬底表面形成界面层；S2，沉积一层高介电常数介质层；S3，进行后沉积退火；S4，沉积一层TiN保护层；S5，沉积一层非晶硅盖帽层；S6，采用等离子氧化法对盖帽层表面进行处理；S7，进行后盖帽层退火；S8，去除盖帽层。本发明可以避免非晶硅发生团聚，以及在多晶硅去除工艺中导致盖帽层残留，同时缩短制备时间。 |
