避免晶圆边缘非完整曝光单元表面薄膜剥离的方法
基本信息
| 申请号 | CN201910862489.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110634729B | 公开（公告）日 | 2021-08-10 |
| 申请公布号 | CN110634729B | 申请公布日 | 2021-08-10 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;H01L21/027（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王泽逸;龙吟;王恺 | 申请（专利权）人 | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戴广志 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种避免晶圆边缘非完整曝光单元表面薄膜剥离的方法，在晶圆表面生长多晶硅层并进行单一源种离子注入；生长第一氮化物层以及氧化物层；将晶圆表面分为四个区域以不同曝光图形进行曝光；刻蚀四个区域的多晶硅层并去除氧化物；再次注入相同单一源种的离子；生长第二氮化物层。通过结构分析还原了表面剥离缺陷形成机理；通过光刻版图设计实验确认剥离缺陷与版图位置相关性；通过炉管温度、时间、膜厚实验确认剥离缺陷工艺窗口；通过对光刻版图选择区域进行定义解决非完整shot剥离缺陷源；通过湿法去除晶圆表面薄膜解决非完整shot剥离缺陷源；通过全面积干刻制程解决非完整shot剥离缺陷源。 |
