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半导体器件的制备方法

基本信息

申请号 CN201910643646.4 申请日 -
公开（公告）号 CN110289243B 公开（公告）日 2021-08-10
申请公布号 CN110289243B 申请公布日 2021-08-10
分类号 H01L21/8238（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 刘厥扬 申请（专利权）人 上海华力集成电路制造有限公司
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 戴广志
地址 201315上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种半导体器件的制备方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供一衬底，在衬底上制备鳍式场效晶体管Fin‑FET的N沟道和P沟道，N沟道包括至少一个第一鳍部，P沟道包括至少一个第二鳍部；在衬底、第一鳍部以及第二鳍部的表面覆盖第一氮化硅层；在第一鳍部的上方制备磷硅层；对第一氮化硅层进行第一清除处理；在磷硅层、第一鳍部的侧表面以及第二鳍部的表面覆盖第二氮化硅层；在第二鳍部的上方制备锗硅层；对第二氮化硅层进行第二清除处理。本申请通过对氮化硅层的两次清除处理，能够较为彻底地清除氮化硅残留，解决了在制备Fin‑FET的过程中产生的微小缺陷问题，提高了Fin‑FET的稳定性。