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一种高方形度高磁能积钐钴永磁材料及制备方法

基本信息

申请号 CN202010067511.0 申请日 -
公开（公告）号 CN111210960A 公开（公告）日 2020-05-29
申请公布号 CN111210960A 申请公布日 2020-05-29
分类号 H01F1/055;H01F41/02 分类 基本电气元件;
发明人 张天丽;曹俊;蒋成保 申请（专利权）人 北京航大新磁科技有限公司
代理机构 北京科迪生专利代理有限责任公司 代理人 北京航大新磁科技有限公司
地址 100090 北京市海淀区知春路7号致真大厦A座4层（A015）号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及了一种高方形度高磁能积钐钴永磁材料及制备方法，所述钐钴永磁材料的表达式为Sm(Co1‑u‑v‑wFeuCuvZrw)z，其中u＝0.25～0.5，v＝0.05～0.1，w＝0.018～0.033，z＝7～8。在固溶处理2～4h的固溶态磁体中，三角晶界及晶界附近有少量富SmCu相；固溶处理5～50h，固溶态磁体中晶界处富SmCu相向晶内扩散，时效态磁体中富SmCu相及富SmCuZr相逐渐消失，晶界连续光滑。本发明避免了常规成分及制备中晶界贫铜现象，大幅度提高了退磁曲线方形度，制备出高性能2:17型高铁含量钐钴永磁体。