高散热硅基封装基板及高散热封装结构

基本信息

申请号 CN201920142523.8 申请日 -
公开(公告)号 CN209199919U 公开(公告)日 2019-08-02
申请公布号 CN209199919U 申请公布日 2019-08-02
分类号 H01L23/367(2006.01)I; H01L23/48(2006.01)I; H01L21/768(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 宋晨光; 孙海燕; 方家恩 申请(专利权)人 苏州锐杰微科技集团有限公司
代理机构 江苏隆亿德律师事务所 代理人 南通大学; 成都锐杰微科技有限公司
地址 226019 江苏省南通市崇川区啬园路9号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供一种高散热硅基封装基板,包括硅衬底,硅衬底纵向设置多个垂直通孔,垂直通孔贯穿硅衬底的上、下表面,垂直通孔内设置导电导热柱,导电导热柱两端裸露于硅衬底的上下表面,导电导热柱外侧壁设置电学隔离层,垂直通孔的直径范围为50~200μm。本实用新型提供的高散热硅基封装基板,具备散热模块集成度高,体积小巧,成本低,有利于封装结构的应用,此外,本实用新型还提供了基于其的封装结构。