半导体装置的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201010205758.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101924020B | 公开（公告）日 | 2012-09-05 |
| 申请公布号 | CN101924020B | 申请公布日 | 2012-09-05 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L33/12(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 宋健民 | 申请（专利权）人 | 深圳市前海科创石墨烯新技术研究院 |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟;张硕 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区前湾一路63号万科企业公馆21B栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在一方面中，举例而言，一种制造半导体装置的方法可包括将一钻石层的一工作表面抛光成一大致平坦的表面、将一缓冲层沉积于该钻石层的该工作表面上、及将一半导体层沉积于该缓冲层上。在一特定方面中，该缓冲层的C轴定向于垂直该钻石层的该工作表面。 |
