实质上具有晶格匹配的半导体材料及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201010542762.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102097461B | 公开（公告）日 | 2013-07-31 |
| 申请公布号 | CN102097461B | 申请公布日 | 2013-07-31 |
| 分类号 | H01L29/12(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 宋健民 | 申请（专利权）人 | 深圳市前海科创石墨烯新技术研究院 |
| 代理机构 | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙皓晨 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区前湾一路63号万科企业公馆21B栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明是一种实质上具有晶格匹配的半导体材料及其制造方法。在一方面中，该半导体元件包含有一第一半导体材料、一第二半导体材料以及一沉积于该第一半导体材料以及该第二半导体材料之间的原子模板间层；该原子模板间层将与第一半导体材料以及第二半导体材料产生键结并促使两半导体材料之间产生实质上的晶格匹配。 |
