钻石底半导体装置及其相关方法
基本信息
| 申请号 | CN200910178897.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102034772B | 公开（公告）日 | 2013-02-27 |
| 申请公布号 | CN102034772B | 申请公布日 | 2013-02-27 |
| 分类号 | H01L23/373(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 宋健民 | 申请（专利权）人 | 深圳市前海科创石墨烯新技术研究院 |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区前湾一路63号万科企业公馆21B栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明是有关于一种钻石底半导体装置及其相关方法。其中一方法可包含：在一单晶硅生长基材上形成一单晶碳化硅的取向附生层；在该碳化硅层上形成一取向附生钻石层；在该钻石层上形成一硅层；以一硅载具基材的二氧化硅表面结合到该硅层；以及去除该硅生长基材。以外露该碳化硅层。在另一方面，可在该碳化硅层上沉积一半导体层。该半导体层可通过取向附生方式进行沉积。 |
