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降低等效电阻的硅电容器及其制备方法

基本信息

申请号 CN201210552154.2 申请日 -
公开（公告）号 CN103022019A 公开（公告）日 2013-04-03
申请公布号 CN103022019A 申请公布日 2013-04-03
分类号 H01L23/64(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陈杰;唐剑平;雷鸣;陈立军 申请（专利权）人 无锡纳能科技有限公司
代理机构 无锡市大为专利商标事务所 代理人 无锡纳能科技有限公司
地址 214072 江苏省无锡市滨湖区蠡园开发区滴翠路100号530大厦2号楼2003室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种降低等效电阻的硅电容器，包括衬底，在衬底上表面形成多个凹槽，在衬底的上表面和凹槽的表面形成导电层，在导电层上设置介质层，在介质层上设置多晶层；所述导电层、介质层和多晶层依次设置在凹槽内，并且凹槽被多晶层填满；其特征是：在所述多晶层上设置金属层，金属层与多晶层欧姆接触；在所述金属层上设置绝缘隔离层，绝缘隔离层覆盖住下方的金属层、多晶层和介质层；在所述绝缘隔离层上设置第一连接孔和第二连接孔，在第一连接孔和第二连接孔处分别设置第一电极和第二电极，第一电极与导电层连接，第二电极与金属层接触。本发明在多晶层上覆盖金属铝，制造工艺简单，得到的电容器体积小、电容量大。