首页/ 无锡纳能科技有限公司/ 专利详情

多层硅基电容器电极连接结构

基本信息

申请号 CN201220517257.0 申请日 -
公开（公告）号 CN202905470U 公开（公告）日 2013-04-24
申请公布号 CN202905470U 申请公布日 2013-04-24
分类号 H01G4/30(2006.01)I;H01G4/002(2006.01)I;H01G4/005(2006.01)I;H01G4/232(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 雷鸣;唐剑平;陈杰;陈立军 申请（专利权）人 无锡纳能科技有限公司
代理机构 无锡市大为专利商标事务所 代理人 无锡纳能科技有限公司;无锡中微晶园电子有限公司
地址 214072 江苏省无锡市滨湖区蠡园开发区滴翠路100号530大厦2号楼2003室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及一种多层硅基电容器电极连接结构，属于高密度硅基电容器的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述多层硅基电容器电极连接结构，包括衬底；所述衬底内设置若干槽型的面积扩张区域；在所述衬底的面积扩张区域内设置若干内部电极层；所述内部电极层包括奇数内部电极层及与所述奇数内部电极层交替分布的偶数内部电极层，所述偶数内部电极层与奇数内部电极层间设置介质层；衬底的上表面上设置互连电极层，所述互连电极层包括用于与偶数内部电极层电连接的偶数互连电极及用于与奇数内部电极层电连接的奇数互连电极，所述偶数互连电极与奇数互连电极间绝缘隔离。本实用新型结构紧凑，减少工艺所需光刻次数，降低制作成本。