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硅电容器内部多层电极连接结构及连接方法

基本信息

申请号 CN201210165420.6 申请日 -
公开（公告）号 CN102683318B 公开（公告）日 2014-07-02
申请公布号 CN102683318B 申请公布日 2014-07-02
分类号 H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陈杰;唐剑平;雷鸣;陈立军 申请（专利权）人 无锡纳能科技有限公司
代理机构 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） 代理人 无锡纳能科技有限公司;无锡中微晶园电子有限公司
地址 214072 江苏省无锡市滨湖区蠡园开发区滴翠路100号530大厦2号楼2003室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种硅电容器内部多层电极连接结构及连接方法，其包括衬底；所述衬底的表面上形成第一内部电极层，所述第一内部电极层的上方设有若干交替分布的奇数电极层与偶数电极层，且奇数电极层与偶数电极层在衬底上方匹配对应；奇数电极层与偶数电极层间设置有介质层，且第一内部电极层与邻近的奇数电极层间通过介质层相连；所述衬底上方设有互连电极，所述互连电极包括第一金属外电极及第二金属外电极，所述第一金属外电极与奇数电极层及第一内部电极层等电位连接，第二金属外电极与偶数电极层等电位连接，第一金属外电极与第二金属外电极绝缘隔离。本发明电容密度高，工艺兼容，降低制造成本，安全可靠。