新型大功率半导体发光二极管封装基座
基本信息
| 申请号 | CN200510040763.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1725518A | 公开（公告）日 | 2006-01-25 |
| 申请公布号 | CN1725518A | 申请公布日 | 2006-01-25 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L23/12(2006.01);H01L23/02(2006.01);H01L23/34(2006.01);H01L23/00(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 彭晖;张涛;梁秉文 | 申请（专利权）人 | 南京汉德森半导体照明有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 211000江苏省南京市江宁区江宁科学园汉德森科技园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明展示几种具有不同结构的新型大功率半导体发光二极管封装基座，主要特征如下：需要打金线的两个表面(例如，芯片的上表面与电极的上表面)之间的高度差小于图像识别系统对不同的图像之间的高度差的限制，因此，自动打线机的图像识别系统在整个打线过程中不需要改变焦距，单位时间的产量得以提高，并且减小打线机头偏移现象。本发明揭示的新型大功率半导体发光二极管封装基座设计，可以应用于其他半导体芯片或器件的封装基座。 |
