高散热效率的大功率半导体发光二极管封装基座及生产工艺
基本信息
| 申请号 | CN200510040764.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1728411A | 公开（公告）日 | 2006-02-01 |
| 申请公布号 | CN1728411A | 申请公布日 | 2006-02-01 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L23/34(2006.01);H01L23/12(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 彭晖;张涛;梁秉文 | 申请（专利权）人 | 南京汉德森半导体照明有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 211000江苏省南京市江宁区江宁科学园汉德森科技园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明展示几种新型的具有高散热效率的热沉的大功率半导体发光二极管封装基座及其生产的工艺。主要特征如下：在保持封装基座的外形尺寸不变和易于批量生产的情况下，扩大热沉底部的接触面积。主要工艺步骤如下：制造金属支架模片，注塑金属支架模片形成封装基座模片(不包括热沉)，在每一个封装基座的背面点胶，把热沉放置在每一个封装基座中，固化胶。本发明揭示的新型的具有高散热效率的热沉的大功率半导体发光二极管封装基座(包括热沉)，也可以应用于其他半导体芯片或器件的封装基座。 |
