一种MSM结构4H-SiC紫外光电探测器的制备工艺
基本信息
| 申请号 | CN201310657223.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104701408A | 公开（公告）日 | 2015-06-10 |
| 申请公布号 | CN104701408A | 申请公布日 | 2015-06-10 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马文超 | 申请（专利权）人 | 青岛平度市旧店金矿 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 266700 山东省青岛市平度市旧店镇驻地 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种MSM结构4H-SiC紫外光电探测器制备工艺。其技术方案是采用镍金属作为肖特基接触金属，在4H-SiC材料上成功制备MSM结构紫外探测器，4H-SiC材料采用雪崩结构制备。本发明的特点是：MSM结构具有诸多的优点，如外延结构（仅需一层掺杂外延）和制备工艺相对简单、容易获得高量子效率，响应速度快等。SiC材料器件制备工艺成熟，与硅工艺更有兼容性，制备器件的相对难度较低。利用镍在4H-SiC上形成的肖特基接触而制备成的对称MSM结构紫外探测器具有良好的光电性能。该工艺可以制备面积更大的探测器、器件的产出率更高、更有利于商业化生产。 |
