一种金属紫外光电探测器的制备工艺

基本信息

申请号 CN201310660805.4 申请日 -
公开(公告)号 CN104701409A 公开(公告)日 2015-06-10
申请公布号 CN104701409A 申请公布日 2015-06-10
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 马文超 申请(专利权)人 青岛平度市旧店金矿
代理机构 - 代理人 -
地址 266700 山东省青岛市平度市旧店镇驻地
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的制备工艺。其技术方案是:利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN单晶薄膜,并对样品进行X射线衍射和光致发光谱测量。利用GaN样品成功地制备了MSM结构GaN紫外光电探测器。本发明的特点是:GaN基材料还具有很高的热导率和电子饱和速度,极高的击穿电场,稳定的物理和化学特性。MSM结构因其平面型、制备工艺相对简单、无需制作p2n结、避开掺杂和欧姆接触等问题容易获得高量子效率、高响应速度以及便于单片光电集成等诸多优点而倍受青睐。