一种IGBT芯片排布结构
基本信息
| 申请号 | CN202011230498.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112635407A | 公开（公告）日 | 2021-04-09 |
| 申请公布号 | CN112635407A | 申请公布日 | 2021-04-09 |
| 分类号 | H01L23/14;H01L23/367;H01L23/52;H01L29/739;H01L29/861 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马克·拉斐尔·施奈尔;斯万·马蒂亚斯;梁杰;张强 | 申请（专利权）人 | 赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司 |
| 代理机构 | 北京中政联科专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 燕宏伟;章洪 |
| 地址 | 314100 浙江省嘉兴市嘉善县惠民街道晋吉路56号CAF变流车间东 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种IGBT芯片排布结构，包括焊接于陶瓷覆铜基板上呈直线排布的多个IGBT芯片和多个二极管芯片，每个二极管芯片通过键合铝线与对应IGBT芯片键合连接且为一组，每组的IGBT芯片的栅极通过栅极键合铝线键合连接于陶瓷覆铜基板的铜条上且每组的IGBT芯片远离二极管芯片一端通过键合铝线键合连接于陶瓷覆铜基板的金属镀覆层上。本发明通过直线排布的IGBT芯片排布方式，在IGBT模块刚开始导通的时候，直线排布的IGBT芯片的电流平衡性比传统排布的IGBT芯片的电流平衡性更好，直线排布的IGBT芯片的电流的均流性能也比传统排布的IGBT芯片的电流均流性更好，并且IGBT芯片的热分布离IGBT芯片安全工作区边界更远，使得产品的可靠性更高。 |
