微机电传感器封装结构及制造方法

基本信息

申请号 CN201910324449.6 申请日 -
公开(公告)号 CN110054144A 公开(公告)日 2019-07-26
申请公布号 CN110054144A 申请公布日 2019-07-26
分类号 B81B7/02(2006.01)I; B81C1/00(2006.01)I 分类 微观结构技术〔7〕;
发明人 万蔡辛 申请(专利权)人 武汉耐普登科技有限公司
代理机构 北京成创同维知识产权代理有限公司 代理人 武汉耐普登科技有限公司;无锡韦尔半导体有限公司
地址 214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座C栋5楼
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种微机电传感器封装结构及制造方法,该微机电传感器封装结构包括:第一基板,第一基板具有凹形结构;第二基板,设置在第一基板上;芯片,芯片设置在凹形结构中,芯片经由金属线与第一基板电连接;其中,凹形结构使第二基板与第一基板之间形成空腔,凹形结构的底面面积大于芯片的面积。该封装结构省去了壳体的单独制作以及贴装,将原本需要另行单独制作和贴装的壳体融入第一基板中,有利于产品的小型化,在实现批量生产的同时,还节省了生产成本,减少了生产所需设备的种类,减少了生产步骤,还有利于控制生产产品的一致性,提高了生产效率和产品良率。