MEMS器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910325569.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110054145A | 公开（公告）日 | 2019-07-26 |
| 申请公布号 | CN110054145A | 申请公布日 | 2019-07-26 |
| 分类号 | B81B7/02（2006.01）I; B81C1/00（2006.01）I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 万蔡辛 | 申请（专利权）人 | 武汉耐普登科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 武汉耐普登科技有限公司 |
| 地址 | 214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座C栋5楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法，该制造方法包括：形成至少一个第一空腔，第一空腔自半导体衬底的指定表面延伸至半导体衬底中；形成第一牺牲层，第一空腔被第一牺牲层填满；形成具有第一通道孔的第一结构层，第一结构层覆盖第一牺牲层，每个第一空腔与相应的第一通道孔位置对应；以及经第一通道孔去除第一空腔中的第一牺牲层。该制造方法通过避免使用DRIE工艺、ICP工艺以及晶圆键合工艺形成空腔与结构层，从而降低了制造成本。 |
