半导体结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910261147.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109987573B | 公开（公告）日 | 2021-12-14 |
| 申请公布号 | CN109987573B | 申请公布日 | 2021-12-14 |
| 分类号 | B81B7/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 万蔡辛 | 申请（专利权）人 | 武汉耐普登科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡纯;李向英 |
| 地址 | 214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座C栋5楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：半导体衬底；牺牲层，位于半导体衬底上；功能层，位于牺牲层上；焊盘，位于功能层上；保护层，覆盖功能层，保护层包括开口，焊盘经由开口暴露；以及至少一个通孔，贯穿保护层与功能层，至少部分牺牲层经由至少一个通孔暴露。该半导体结构通过将焊盘形成在功能层上，经由保护层的开口暴露，因此在经由通孔去除部分牺牲层后，不需要去除保护层，可以直接在暴露的焊盘上进行后续引线工艺，达到了简化制造工艺步骤的目的、提高了生产效率、减少了制造成本。 |
