一种N型单晶硅基太阳能电池及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811027509.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109309147B | 公开（公告）日 | 2019-12-06 |
| 申请公布号 | CN109309147B | 申请公布日 | 2019-12-06 |
| 分类号 | H01L31/20（2006.01）; H01L31/0216（2014.01）; H01L31/0236（2006.01）; H01L31/0747（2012.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 管先炳 | 申请（专利权）人 | 苏州相高鑫数字科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京华仁联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 苏州元联科技创业园管理有限公司 |
| 地址 | 215131 江苏省苏州市相城区元和街道嘉元路959号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种N型单晶硅基太阳能电池及其制备方法，该N型单晶硅基太阳能电池的制备方法包括以下步骤：在N型单晶硅片的上下表面形成类金字塔微结构；接着在所述N型单晶硅片的上下表面分别形成多个平行排列的对应的第一矩形凹槽和第二矩形凹槽，且所述第一矩形凹槽与相应的所述第二矩形凹槽在垂直方向上部分重叠；在所述N型单晶硅片的上下表面喷涂含有三乙醇铝的溶液，然后进行退火处理，以形成氧化铝钝化层；然后在所述N型单晶硅片的上下表面沉积各非晶硅层、透明导电层以及栅电极。本发明的N型单晶硅基太阳能电池具有优异的光电转换效率。 |
