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一种低频低介电损耗电子陶瓷材料及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110021504.1	申请日	-
公开（公告）号	CN112778000A	公开（公告）日	2021-05-11
申请公布号	CN112778000A	申请公布日	2021-05-11
分类号	C04B35/01;C04B41/88	分类	水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
发明人	邓珊;袁武	申请（专利权）人	长沙华脉新材料有限公司
代理机构	长沙大珂知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王琼琦
地址	410006 湖南省长沙市高新开发区麓松路459号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种低频低介电损耗电子陶瓷材料及其制备方法，所述陶瓷材料采用低温共烧技术进行封装得到，为多层陶瓷材料，具有外层、内层，内层为钙钛矿空间结构的陶瓷材料，分子式为Pb_1‑xA_xB_yC_1‑yO₃；外层分为采用等离子喷涂形成的SiN‑Cr₃C₂‑Ti复合薄膜层。本发明提供的电子陶瓷材料具有单晶相的钙钛矿结构，其具有1:1B位有序排列的阳离子，导致了所合成的陶瓷材料具有铅基体系空间电荷极化的特性，材料遵循非Debye弛豫过程，导电过程具有极化子载流子，使所述陶瓷材料同时具有优良的低频特性、低介电损耗性能以及较高的温度稳定性，其采用一次性固体合成方法，减少了操作步骤，简化了操作流程，提高了生产效率。