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含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件及其制造方法

基本信息

申请号 CN200510030868.7 申请日 -
公开（公告）号 CN100474642C 公开（公告）日 2009-04-01
申请公布号 CN100474642C 申请公布日 2009-04-01
分类号 H01L33/00(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 江风益;熊传兵;方文卿;王立 申请（专利权）人 中国农业银行股份有限公司南昌高新支行
代理机构 江西省专利事务所 代理人 晶能光电（江西）有限公司
地址 330047江西省南昌市南京东路235号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件及其制造方法，该半导体发光元件包含：一个含铬的支撑基板，层叠于支撑基板之上的第一欧姆电极，层叠于第一欧姆电极之上的铟镓铝氮半导体叠层，层叠于铟镓铝氮半导体叠层之上的第二欧姆电极。制造上述发光元件的方法，包括以下步骤：在硅衬底上形成铟镓铝氮半导体叠层，在铟镓铝氮半导体叠层上形成第一欧姆电极，在第一欧姆电极上形成铬支撑基板，把硅衬底去除，在铟镓铝氮半导体叠层上形成第二欧姆电极。该发光元件具有成本较低、发光效率高、散热特性好等优点。