抗静电氮化镓发光器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN200810106851.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101271916B | 公开（公告）日 | 2010-12-29 |
| 申请公布号 | CN101271916B | 申请公布日 | 2010-12-29 |
| 分类号 | H01L27/15(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 熊传兵;江风益;王立;王古平;章少华 | 申请（专利权）人 | 中国农业银行股份有限公司南昌高新支行 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 330029 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种抗静电氮化镓发光器件及其制造方法，该发光器件具有较好的抗静电能力，在一定程度上避免静电对发光器件的损坏。该发光器件包括发光薄膜、分别形成在发光薄膜上面和下面的第一电极和第二电极，所述发光器件还包括形成在所述第一电极中或者所述第二电极中的大电子迁移率电感线圈；所述大电子迁移率电感线圈形成在所述发光薄膜的上面或下面，或者第一电极中的导电体层上面或下面，或者第二电极中的导电体层上面或下面；所述大电子迁移率电感线圈材料的电子迁移率大于与之接触导电体层材料的电子迁移率。本发明主要用于防止静电对半导体发光器件的破坏。 |
