具有超高反向击穿电压的氮化镓发光器件
基本信息
| 申请号 | CN200710168024.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101378102B | 公开（公告）日 | 2010-10-13 |
| 申请公布号 | CN101378102B | 申请公布日 | 2010-10-13 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 江风益;王立;方文卿;莫春兰;蒲勇;熊传兵 | 申请（专利权）人 | 中国农业银行股份有限公司南昌高新支行 |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 地址 | 330047 江西省南昌市南京东路235号南昌大学北区(材料科学研究所) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明的一个实施例提供一种基于氮化稼(GaN)的半导体发光器件(LED)，包括：n型基于GaN的半导体层(n型层)；有源层；以及p型基于GaN的半导体层(p型层)。在生长有源层与p型层之前通过使用氨气(NH3)作为氮源来外延地生长n型层。在V族元素和III族元素之间的流速比率从初始值逐渐地减少到最终值。基于GaN的LED表现出等于或者大于60伏特的反向击穿电压。 |
