用于制造p型半导体结构的方法
基本信息
| 申请号 | CN200710112585.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101330118B | 公开（公告）日 | 2010-06-09 |
| 申请公布号 | CN101330118B | 申请公布日 | 2010-06-09 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 江风益;王立;方文卿;莫春兰 | 申请（专利权）人 | 中国农业银行股份有限公司南昌高新支行 |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 地址 | 330047 江西省南昌市南京东路235号南昌大学北区(材料科学研究所) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明的一个实施例提供了一种用于制造III-V族p型氮化物结构的方法。该方法包括在第一生长环境中生长具有第一受主浓度的第一层p型III-V族材料。该方法还包括在第二生长环境中在第一层的顶部上生长第二层p型III-V族材料，其比第一层厚并且其具有第二受主浓度。另外，该方法包括在第三生长环境中在第二层的顶部上生长第三层p型III-V族材料，其比第二层薄并且其具有第三受主浓度。 |
